Опубликовано в рубрике Выступaя нa кoнфeрeнции UBS, Вeнкaтa «Мурти» Рeндучинтaлa (Venkata Murthy Renduchintala) вeрнулся к oбсуждeнию причин, вызвaвшиx зaдeржку с пeрexoдoм Intel нa 10-нм тexпрoцeсс. Жeлaниe сoxрaнить действие так называемого «закона Мура» в своё время заставило Intel выбрать достаточно агрессивную цель по масштабированию плотности транзисторов – она должна была увеличиться сразу в 2,7 раза. Само по себе такое масштабирование не было единственным источником проблем. Как признался Венката, компания на ранних этапах разработки 10-нм технологии предусмотрела несколько нововведений в сфере литографии, которые должны были обеспечить нужный уровень масштабирования плотности. Казалось, что по отдельности они работали без проблем, но в сочетании всё оказалось не так, как предсказывали специалисты Intel.
Итог этих просчётов хорошо известен – 10-нм техпроцесс пришлось задержать на два года относительно первоначального срока. В этом контексте нужно помнить, что первые 10-нм процессоры в лице Cannon Lake формально вышли на рынок в 2018 году, но этот этап развития в собственных презентациях Intel по понятным причинам старается не упоминать. Первыми серийными 10-нм продуктами она считает 10-нм процессоры Ice Lake, поставки которых в мобильном сегменте начались с середины текущего года.
Уже не раз отмечалось, что извлечённые из этой истории выводы заставили Intel сменить приоритеты. Свои «геометрические амбиции» компании пришлось поумерить, и теперь плотность размещения транзисторов при переходе на 7-нм и 5-нм техпроцессы будет увеличена только в два раза. Это позволит более точно прогнозировать периодичность смены техпроцессов – компания хотела бы делать соответствующий шаг раз в два года. Соответственно, если первый 7-нм продукт появится в конце 2021 года, то 5-нм изделия должны появиться в 2023 году. Об освоении 5-нм технологии Венката Рендучинтала на мероприятии UBS предпочёл подробно не говорить, поскольку это дело не самого близкого будущего.
Источник