По плотности размещения транзисторов 7-нм техпроцесс Intel будет близок к 3-нм технологии TSMC

826e724fbf72b445afd242cd3fe5e527

Дaвнo извeстнo, чтo пo свoим гeoмeтричeским пaрaмeтрaм тexпрoцeссы Intel, Samsung и TSMC с oдинaкoвым нaимeнoвaниeм мoгут сущeствeннo рaзличaться, и этo нужнo учитывaть при срaвнeнии тexнoлoгичeскиx вoзмoжнoстeй всex трёх компаний. Редактор сайта AnandTech Йен Катресс (Ian Cutress) со страниц Twitter решил напомнить, что ожидаемые характеристики 7-нм техпроцесса Intel не позволяют голословно верить утверждению об «отставании на пару поколений» от TSMC. Автор этих аргументов, как известно, доктор (технических наук), а потому плохого не посоветует.

анонсы и

Массовое поступление RTX 3080 – кучи плат <b>Массовое снижение цен на все</b> RTX 3070 в Ситилинке Зарабатывай деньги, участвуя в наполнении нашего сайта Много <b>3060 дешевле 70 тр</b> в XPERT.RU Много 6700XT в XPERT.RU дешевле чем везде 6700XT в Ситилинке – смотри цену RTX 3080 дешевле всего в XPERT.RU XPERT снижает цены на RTX 3070 – плат много 4000р скидка на 1Tb SSD в Регарде RTX 3060 стала всего чуть дороже чем 2060 RTX 3090 – самые низкие цены и большой выбор в XPERT.RU

Пиковые значения плотности размещения транзисторов на единице площади кристалла приведены Йеном Катрессом в сравнении для техпроцессов TSMC и Intel соответственно.

Становится ясно, что 7-нм техпроцесс TSMC с этой точки зрения сопоставим с 10-нм техпроцессом Intel, а последний даже несколько его превосходит. Если же опираться на прогнозируемую плотность размещения транзисторов для будущего 7-нм техпроцесса Intel, то она будет лежать в пределах от 200 до 250 млн транзисторов на кв.мм. У 3-нм техпроцесса TSMC, который в массовом производстве будет освоен не ранее второй половины следующего года, этот показатель не превысит 290 млн транзисторов на кв.мм. По сути, 7-нм техпроцесс Intel будет уступать 3-нм техпроцессу TSMC, но не так значительно, как могло бы показаться.

Нужно учитывать два важных момента. Во-первых, пиковая плотность размещения транзисторов не всегда применяется на практике. Например, какие-то сложные изделия типа высокопроизводительных процессоров могут обладать гораздо меньшей плотностью размещения транзисторов на кристалле. Во-вторых, одной только плотностью компоновки определить потребительские качества полупроводниковых изделий нельзя. Важны и быстродействие транзисторов, и уровень энергопотребления, и уровень тепловыделения, да и плотность размещения дефектов на каждом этапе жизненного цикла изделия тоже важна.

Источник

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.